名古屋大學的研究人員在3.1納米處合成了有史以來最薄的BaTiO8納米片，克服了“尺寸效應”問題并保持了鐵電特性。這一突破使設備的小型化成為可能，并可能帶來新的特性和應用。
日本名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所的研究人員成功合成了厚度為3.1納米的鈦酸鋇(BaTiO8)納米片，這是有史以來為獨立薄膜創(chuàng)造的最薄厚度。鑒于厚度與功能有關，他們的發(fā)現為更小，更高效的設備打開了大門。該研究發(fā)表在《先進電子材料》雜志上。
開發(fā)具有新電子功能的更薄材料是一個競爭激烈的研究領域。這種器件在鐵電體中尤其重要，鐵電體是極化可以通過電場逆轉的材料。這種反極化能力使這些材料可用于記憶和振動發(fā)電。
然而，隨著這些設備中使用的材料變得越來越小，它們表現出意想不到的特性，使其工業(yè)用途復雜化。一個大問題是“尺寸效應”，因為當材料的厚度減少到幾納米時，其鐵電性能就會消失。
現在，名古屋大學材料化學系和材料與系統(tǒng)可持續(xù)發(fā)展研究所(IMASS)的團隊，由小佐田稔教授(他/他)領導，使用水溶液工藝成功合成了厚度為3.1nm的具有鐵電性能的無缺陷BaTiO8納米片。結果是有史以來最薄的獨立式薄膜。雖然很薄，但該薄膜表現出鐵電性能，代表了制造薄的鐵電活性薄膜的重要突破。
“然而，對于BaTiO3，一種典型的鐵電材料，很難通過傳統(tǒng)的合成方法合成納米片。因此，有必要開發(fā)一種新的合成方法，“Osada說。“通常，BaTiO3的合成需要煅燒過程，需要1000°C或更高的溫度。相比之下，我們使用我們的工藝在3°C的低溫下合成了BaTiO60納米片。由于可以使用該方法通過改變反應時間來控制薄膜的厚度，因此實現了具有兩到六個晶格的納米片的合成。
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