關于磁阻傳感器實驗總結(jié)，磁阻這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！
1、計算磁阻公式：Zm=L/uS。
2、Zm表示磁阻，L表示磁路長度；u表示磁導率，S表示磁路截面積。
3、永磁體提供磁通，經(jīng)過軟磁體連接后在空隙處產(chǎn)生磁場。
4、磁路中的總磁通量是守恒的，但在空隙處的磁通密度相對降低，因有部分磁通在非空隙處流失，稱之為漏磁，導致磁路中的磁阻。
5、擴展資料：常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)對所有非磁性金屬而言，由于在磁場中受到洛倫茲力的影響，傳導電子在行進中會偏折，使得路徑變成沿曲線前進，如此將使電子行進路徑長度增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料的電阻。
6、磁阻效應最初于1856年由威廉·湯姆森，即后來的開爾文爵士發(fā)現(xiàn)，但是在一般材料中，電阻的變化通常小于5%，這樣的效應后來被稱為“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。
7、2、巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)所謂巨磁阻效應，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現(xiàn)象。
8、巨磁阻是一種量子力學效應，它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。
9、這種結(jié)構(gòu)是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。
10、當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小，材料有最小的電阻。
11、當鐵磁層的磁矩為反平行時，與自旋有關的散射最強，材料的電阻最大。
12、3、超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效應（也稱龐磁阻效應）存在于具有鈣鈦礦(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。
13、其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數(shù)個數(shù)量級的變化。
14、其產(chǎn)生的機制與巨磁阻效應(GMR)不同，而且往往大上許多，所以被稱為“超巨磁阻”。
15、如同巨磁阻效應(GMR)，超巨磁阻材料亦被認為可應用于高量磁性儲存裝置的讀寫頭。
16、不過，由于其相變溫度較低，不像巨磁阻材料可在室溫下展現(xiàn)其特性，因此離實際應用尚需一些努力。
17、參考資料來源：百度百科-磁阻。
本文分享完畢，希望對大家有所幫助。
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