sims4紳士包（sims）

關(guān)于sims4紳士包，sims這個(gè)問題很多朋友還不知道，今天小六來(lái)為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！

1、二次離子質(zhì)譜分析SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry 測(cè)定原理: 將樣品表面用具有數(shù)個(gè)keV能的O2+、 Cs+等離子束(一次離子) 照射，表層的原子因噴濺作用被釋放到真空中。

2、被噴射的大部分屬中性電性，但有一部分(通常為1%以下)轉(zhuǎn)為正離子或負(fù)離子(二次離子)。

3、SlMS是一種用電場(chǎng)將二次離子激起，通過磁場(chǎng)、高頻率電場(chǎng)進(jìn)行質(zhì)譜分析，以此對(duì)樣品表層的構(gòu)成成分進(jìn)行定性和定量化分析的方法。

4、半導(dǎo)體材料的主要分析應(yīng)用1.摻雜劑的剖面測(cè)定可以測(cè)定N型及P型摻雜劑的深度方向濃度分布。

5、主要評(píng)價(jià)內(nèi)容如下。

6、評(píng)價(jià)劑量、Rp、Xj等 計(jì)測(cè)P/N接合深度 評(píng)價(jià)熱處理后的剖面變化 評(píng)價(jià)溝道效應(yīng) 評(píng)價(jià)交叉污染 評(píng)價(jià)能源污染 與SRP(擴(kuò)散電阻)的比較 與SUPREM等模擬的比較 2.雜質(zhì)評(píng)價(jià)、薄膜分析可以測(cè)定各種工序中的單晶體表層鄰域、膜中以及界面上存在的雜質(zhì)的深度方向的濃度分布。

7、主要評(píng)價(jià)內(nèi)容如下。

8、測(cè)定離子注入時(shí)的金屬污染 測(cè)定摻雜劑擴(kuò)散后的雜質(zhì) 測(cè)定由噴濺、CVD等成膜的膜中雜質(zhì) 測(cè)定CZ-Si基板、Epi-Si基板中的雜質(zhì) 測(cè)定BPSG膜中的B及P的深度方向的濃度變化 測(cè)定各種金屬界面中的C，0等的偏析 測(cè)定各種金屬膜的擴(kuò)散 3.不良解析·微小區(qū)域的分析通過評(píng)價(jià)特定部位的雜質(zhì)，解析實(shí)裝設(shè)備的不良狀況。

9、對(duì)微小區(qū)域進(jìn)行分析時(shí)，兼用圖象處理技術(shù)。

10、主要評(píng)價(jià)內(nèi)容如下。

11、 測(cè)定晶體管部的雜質(zhì) 分析Al襯墊部的深度方向 測(cè)定埋入部分的雜質(zhì) 4.其他方面的應(yīng)用進(jìn)行SIMS測(cè)定時(shí)，對(duì)于因?yàn)R射而表層形狀變化顯著的物質(zhì)及容易發(fā)生遷移的材料進(jìn)行特殊分析。

12、主要評(píng)價(jià)內(nèi)容如下。

13、采用BacksideSIMS測(cè)定金屬膜的擴(kuò)散 通過冷卻樣品測(cè)定雜質(zhì)的動(dòng)態(tài)(特別是測(cè)定容易遷移的元素)As注入單晶體的溝道狀況測(cè)定低壓CVD-SiN膜中的雜質(zhì)測(cè)定MOS晶體管B的濃度Cu配線結(jié)構(gòu)的深度方向分布。

本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助。

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