PMOS管的應用原理是什么？

關于PMOS管的應用原理是什么？這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

1、工作原理：PMOS的工作原理與NMOS相類似。

2、因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是電子，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。

3、當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。

4、同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數(shù)值越大。

5、簡介：金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類。

6、P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的負電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。

7、改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。

8、這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。

9、如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。

10、這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。

11、統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

12、MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。

13、此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。

14、它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管--晶體管邏輯電路不兼容。

15、PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬-氧化物-半導體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。

16、只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術。

本文分享完畢，希望對大家有所幫助。

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