導讀 是半導體制程里面離子注入(擴散)工藝的術語,指離子注入(參雜)濃度。,即在形成器件的硅襯底有源區(qū)參雜電子(5價離子)或者空穴(3價離
是半導體制程里面離子注入(擴散)工藝的術語,指離子注入(參雜)濃度。,即在形成器件的硅襯底有源區(qū)參雜電子(5價離子)或者空穴(3價離子),以達成電性要求。
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是半導體制程里面離子注入(擴散)工藝的術語,指離子注入(參雜)濃度。,即在形成器件的硅襯底有源區(qū)參雜電子(5價離子)或者空穴(3價離子),以達成電性要求。
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